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MSCSM120AM042CD3AG

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Peça do fabricante
MSCSM120AM042CD3AG
Fabricante
Roving Networks / Microchip Technology
Descrição
PM-MOSFET-SIC-SBD~-D3
Categoria
produtos semicondutores discretos
Família
transistores - fets, mosfets - arrays
Em estoque
10207
Folhas de dados on-line
-
  • Series:-
  • pacote:Box
  • estado da peça:Active
  • tipo de pé:2 N Channel (Phase Leg)
  • recurso de pé:Silicon Carbide (SiC)
  • tensão de dreno para fonte (vdss):1200V (1.2kV)
  • corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c:495A (Tc)
  • rds em (max) @ id, vgs:5.2mOhm @ 240A, 20V
  • vgs(th) (max) @ id:2.8V @ 6mA
  • carga do portão (qg) (max) @ vgs:1392nC @ 20V
  • capacitância de entrada (ciss) (max) @ vds:18.1pF @ 1000V
  • potência - máx.:2.031kW (Tc)
  • Temperatura de operação:-40°C ~ 175°C (TJ)
  • tipo de montagem:Chassis Mount
  • pacote / caso:Module
  • pacote de dispositivos do fornecedor:D3
Envio Tempo de entrega Para peças em estoque, estima-se que os pedidos sejam enviados em 3 dias.
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garantia Todas as compras InFortune vêm com uma política de devolução do dinheiro em 30 dias, além de uma garantia InFortune de 90 dias contra defeitos de fabricação.
Esta garantia não se aplica a qualquer item em que os defeitos tenham sido causados ​​por montagem inadequada do cliente, falha do cliente em seguir as instruções, modificação do produto, operação negligente ou inadequada
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