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SQJB60EP-T1_GE3

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Peça do fabricante
SQJB60EP-T1_GE3
Fabricante
Vishay / Siliconix
Descrição
MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
Categoria
produtos semicondutores discretos
Família
transistores - fets, mosfets - arrays
Em estoque
17830
Folhas de dados on-line
SQJB60EP-T1_GE3 PDF
  • Series:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • pacote:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado da peça:Active
  • tipo de pé:2 N-Channel (Dual)
  • recurso de pé:Standard
  • tensão de dreno para fonte (vdss):60V
  • corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c:30A (Tc)
  • rds em (max) @ id, vgs:12mOhm @ 10A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2.5V @ 250µA
  • carga do portão (qg) (max) @ vgs:30nC @ 10V
  • capacitância de entrada (ciss) (max) @ vds:1600pF @ 25V
  • potência - máx.:48W
  • Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipo de montagem:Surface Mount
  • pacote / caso:PowerPAK® SO-8 Dual
  • pacote de dispositivos do fornecedor:PowerPAK® SO-8 Dual
Envio Tempo de entrega Para peças em estoque, estima-se que os pedidos sejam enviados em 3 dias.
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garantia Todas as compras InFortune vêm com uma política de devolução do dinheiro em 30 dias, além de uma garantia InFortune de 90 dias contra defeitos de fabricação.
Esta garantia não se aplica a qualquer item em que os defeitos tenham sido causados ​​por montagem inadequada do cliente, falha do cliente em seguir as instruções, modificação do produto, operação negligente ou inadequada
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