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IPG20N06S2L35AATMA1

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Peça do fabricante
IPG20N06S2L35AATMA1
Fabricante
IR (Infineon Technologies)
Descrição
MOSFET 2N-CH 55V 2A 8TDSON
Categoria
produtos semicondutores discretos
Família
transistores - fets, mosfets - arrays
Em estoque
11760
Folhas de dados on-line
IPG20N06S2L35AATMA1 PDF
  • Series:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
  • pacote:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado da peça:Active
  • tipo de pé:2 N-Channel (Dual)
  • recurso de pé:Logic Level Gate
  • tensão de dreno para fonte (vdss):55V
  • corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c:2A (Tc)
  • rds em (max) @ id, vgs:35mOhm @ 15A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2V @ 27µA
  • carga do portão (qg) (max) @ vgs:23nC @ 10V
  • capacitância de entrada (ciss) (max) @ vds:790pF @ 25V
  • potência - máx.:65W
  • Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipo de montagem:Surface Mount, Wettable Flank
  • pacote / caso:8-PowerVDFN
  • pacote de dispositivos do fornecedor:PG-TDSON-8-10
Envio Tempo de entrega Para peças em estoque, estima-se que os pedidos sejam enviados em 3 dias.
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garantia Todas as compras InFortune vêm com uma política de devolução do dinheiro em 30 dias, além de uma garantia InFortune de 90 dias contra defeitos de fabricação.
Esta garantia não se aplica a qualquer item em que os defeitos tenham sido causados ​​por montagem inadequada do cliente, falha do cliente em seguir as instruções, modificação do produto, operação negligente ou inadequada
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