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HGT1S10N120BNST

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Peça do fabricante
HGT1S10N120BNST
Fabricante
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrição
IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
Categoria
produtos semicondutores discretos
Família
transistores - igbts - simples
Em estoque
17078
Folhas de dados on-line
HGT1S10N120BNST PDF
  • Series:-
  • pacote:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado da peça:Active
  • tipo igbt:NPT
  • tensão - avaria do emissor do colector (máx.):1200 V
  • corrente - coletor (ic) (máx.):35 A
  • corrente - coletor pulsado (icm):80 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.7V @ 15V, 10A
  • potência - máx.:298 W
  • energia de comutação:320µJ (on), 800µJ (off)
  • tipo de entrada:Standard
  • carga de portão:100 nC
  • td (ligado/desligado) @ 25°c:23ns/165ns
  • condição de teste:960V, 10A, 10Ohm, 15V
  • tempo de recuperação reversa (trr):-
  • Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo de montagem:Surface Mount
  • pacote / caso:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • pacote de dispositivos do fornecedor:TO-263AB
Envio Tempo de entrega Para peças em estoque, estima-se que os pedidos sejam enviados em 3 dias.
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garantia Todas as compras InFortune vêm com uma política de devolução do dinheiro em 30 dias, além de uma garantia InFortune de 90 dias contra defeitos de fabricação.
Esta garantia não se aplica a qualquer item em que os defeitos tenham sido causados ​​por montagem inadequada do cliente, falha do cliente em seguir as instruções, modificação do produto, operação negligente ou inadequada
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