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RGT8NS65DGTL

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Peça do fabricante
RGT8NS65DGTL
Fabricante
ROHM Semiconductor
Descrição
IGBT 650V 8A 65W TO-263S
Categoria
produtos semicondutores discretos
Família
transistores - igbts - simples
Em estoque
14916
Folhas de dados on-line
RGT8NS65DGTL PDF
  • Series:-
  • pacote:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado da peça:Active
  • tipo igbt:Trench Field Stop
  • tensão - avaria do emissor do colector (máx.):650 V
  • corrente - coletor (ic) (máx.):8 A
  • corrente - coletor pulsado (icm):12 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.1V @ 15V, 4A
  • potência - máx.:65 W
  • energia de comutação:-
  • tipo de entrada:Standard
  • carga de portão:13.5 nC
  • td (ligado/desligado) @ 25°c:17ns/69ns
  • condição de teste:400V, 4A, 50Ohm, 15V
  • tempo de recuperação reversa (trr):40 ns
  • Temperatura de operação:-40°C ~ 175°C (TJ)
  • tipo de montagem:Surface Mount
  • pacote / caso:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • pacote de dispositivos do fornecedor:LPDS (TO-263S)
Envio Tempo de entrega Para peças em estoque, estima-se que os pedidos sejam enviados em 3 dias.
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garantia Todas as compras InFortune vêm com uma política de devolução do dinheiro em 30 dias, além de uma garantia InFortune de 90 dias contra defeitos de fabricação.
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