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STU1HN60K3

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Peça do fabricante
STU1HN60K3
Fabricante
STMicroelectronics
Descrição
MOSFET N-CH 600V 1.2A IPAK
Categoria
produtos semicondutores discretos
Família
transistores - fets, mosfets - simples
Em estoque
11556
Folhas de dados on-line
STU1HN60K3 PDF
  • Series:SuperMESH3™
  • pacote:Tube
  • estado da peça:Not For New Designs
  • tipo de pé:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • tensão de dreno para fonte (vdss):600 V
  • corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c:1.2A (Tc)
  • tensão de acionamento (máximo rds ligado, min rds ligado):10V
  • rds em (max) @ id, vgs:8Ohm @ 600mA, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:4.5V @ 50µA
  • carga do portão (qg) (max) @ vgs:9.5 nC @ 10 V
  • vgs (máximo):±30V
  • capacitância de entrada (ciss) (max) @ vds:140 pF @ 50 V
  • recurso de pé:-
  • dissipação de energia (máx.):27W (Tc)
  • Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo de montagem:Through Hole
  • pacote de dispositivos do fornecedor:I-PAK
  • pacote / caso:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Envio Tempo de entrega Para peças em estoque, estima-se que os pedidos sejam enviados em 3 dias.
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Esta garantia não se aplica a qualquer item em que os defeitos tenham sido causados ​​por montagem inadequada do cliente, falha do cliente em seguir as instruções, modificação do produto, operação negligente ou inadequada
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