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TK6A60W,S4VX

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Peça do fabricante
TK6A60W,S4VX
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Descrição
MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220SIS
Categoria
produtos semicondutores discretos
Família
transistores - fets, mosfets - simples
Em estoque
12473
Folhas de dados on-line
TK6A60W,S4VX PDF
  • Series:DTMOSIV
  • pacote:Tube
  • estado da peça:Active
  • tipo de pé:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • tensão de dreno para fonte (vdss):600 V
  • corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c:6.2A (Ta)
  • tensão de acionamento (máximo rds ligado, min rds ligado):10V
  • rds em (max) @ id, vgs:750mOhm @ 3.1A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:3.7V @ 310µA
  • carga do portão (qg) (max) @ vgs:12 nC @ 10 V
  • vgs (máximo):±30V
  • capacitância de entrada (ciss) (max) @ vds:390 pF @ 300 V
  • recurso de pé:Super Junction
  • dissipação de energia (máx.):30W (Tc)
  • Temperatura de operação:150°C (TJ)
  • tipo de montagem:Through Hole
  • pacote de dispositivos do fornecedor:TO-220SIS
  • pacote / caso:TO-220-3 Full Pack
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